Моя заявка (0)

SQA401EEJ-T1_GE3, MOSFETs -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

SQA401EEJ-T1_GE3, MOSFETs -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004641916
Артикул
SQA401EEJ-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SQ
Fall Time:
8 ns
Rise Time:
17 ns
Цена по запросу
(от 69,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SQ
Fall Time:8 ns
Rise Time:17 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeP Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SC-70-6
Power Dissipation13.6Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:5.3 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:13.6 W
КвалификацияAEC-Q101
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:2.68 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4.7 S
Drain Source On State Resistance0.093Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:113 mOhms
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Непрерывный Ток Стока2.68А
Рассеиваемая Мощность13.6Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SC70
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура175 C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.093Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация