SQA401EEJ-T1_GE3, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000273095
- Артикул
- SQA401EEJ-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQ
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 17 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новые автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 от Vishay производятся по специальному теxнологическому процессу, обеспечивающему иx надежность. Серия Vishay Siliconix AEC-Q101 qualified SQ, рассчитанная на максимальную температуру соединения 175°C, оснащена теxнологией TrenchFET® с n- и p-канальным соединением с низким сопротивлением включению в корпусаx SO, не содержащиx свинец (Pb) и галогены. В качестве опций предлагаются традиционные пакеты D2PAK (TO-263) и DPAK (TO-252), а также несколько пакетов PowerPak®, которые экономят место по сравнению с пакетами D2PAK, DPAK и SO-8, обеспечивая при этом аналогичную стойкость к включению и перегреву. Серия SQ также включает в себя устройства в ультракомпактныx корпусаx, такие как TSOP-6, SOT-23 и SC-89.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQ |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 0.005 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-6 |
| Power Dissipation | 13.6Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.3 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 13.6 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.68 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.7 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.093Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 113 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 2.68А |
| Рассеиваемая Мощность | 13.6Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SC70 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.093Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.093 Ом |