Моя заявка (0)

SQA300CEJW-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5.63 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Surface Mount

SQA300CEJW-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5.63 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046399584
Артикул
SQA300CEJW-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
2 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:2 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:4 ns
Вес, г0.012
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK SC-70W-6
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:6 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:13.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:12 ns
Id - Continuous Drain Current:5.63 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16 S
Rds On - Drain-Source Resistance:54 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.63
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.021 Ом

Техническая документация