SQ9407EY-T1_GE3, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004137153
- Артикул
- SQ9407EY-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- FET Type
- P-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 212 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 60V 4.6A Автомобильный 8-контактный SOIC N T/R
Технические параметры
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Power Dissipation | 3.75Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TA) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drain Source On State Resistance | 0.067Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 4.6А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.6A(Tc) |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.067 Ом |