SQ9407EY-T1_BE3, MOSFETs P-CHANNEL 60 V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005513370
- Артикул
- SQ9407EY-T1_BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Упаковка:
- Reel, Cut Tape
- Структура
- P-Channel
- Технология:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. МОП-транзисторы SQ выпускаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Упаковка: | Reel, Cut Tape |
| Структура | P-Channel |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 8 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | Vishay |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок: | SO-8 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 26.5 nC |
| Время нарастания: | 13 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 3.75 W |
| Другие названия товара №: | SQ9407EY-T1_GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 4.6 A |
| Коммерческое обозначение: | TrenchFET |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 115 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 60 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +175 C |
| Типичное время задержки выключения: | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 2500 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 13mΩ |