SQ7414CENW-T1_GE3, null 18A 23mOhm@8.7A,10V 62W null PowerPAK-1212-8W MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026393338
- Артикул
- SQ7414CENW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Type
- Power MOSFET
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQ
- Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQ |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 62(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 62 W |
| Continuous Drain Current | 18(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 23мОм |