Моя заявка (0)

SQ4917EY-T1_GE3, 60V 8A 48mOhm@4.3A,10V 5W 2.5V@250uA 2 P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS

SQ4917EY-T1_GE3, 60V 8A 48mOhm@4.3A,10V 5W 2.5V@250uA 2 P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044550040
Артикул
SQ4917EY-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Automotive
Yes
Цена по запросу
(от 208,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторная матрица MOSFET Dual P-CH 60 В 4,75 А с 8-контактным разъемом SOIC на магнитной ленте и катушке (код: SQ4917EY-T1_GE3)

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveYes
Вес, г0.12
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationDual Dual Drain
Supplier PackageSOIC N
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Standard Package NameSOP
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip2
Power Dissipation N Channel5Вт
Power Dissipation P Channel5Вт
Operating Temperature - (??C)-55~175
Maximum Power Dissipation - (mW)5000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)43.4
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)43.4@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Линейка ПродукцииTrenchFET Series
Maximum Drain Source Voltage - (V)60
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)2.5
Maximum Continuous Drain Current - (A)8
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)1530@30V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)48@10V
Непрерывный Ток Стока8А
Рассеиваемая Мощность5Вт
Drain Source On State Resistance N Channel0.04Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.04Ом
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Непрерывный Ток Стока, N Канал8А
Непрерывный Ток Стока, P Канал8А
Максимальная Рабочая Температура175°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал60В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал60В
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.04Ом

Техническая документация