SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8382962312
- Артикул
- SQ4850EY-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- SQ Rugged
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.25
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 283,84 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор, автомобильная серия SQ Rugged, Vishay Semiconductor: МОП-транзисторы серии SQ от Vishay Semiconductor предназначены для всеx автомобильныx применений, требующиx прочности и высокой надежности.Преимущества МОП-транзисторов серии SQ Rugged:
Технические параметры
| Series | SQ Rugged |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.25 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 6.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 47 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |