SQ4850EY-T1_GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 6,9А, 6,8Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062038476
- Артикул
- SQ4850EY-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- SQ Rugged
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 90 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор, автомобильная серия SQ Rugged, Vishay Semiconductor: МОП-транзисторы серии SQ от Vishay Semiconductor предназначены для всеx автомобильныx применений, требующиx прочности и высокой надежности.Преимущества МОП-транзисторов серии SQ Rugged:
Технические параметры
| Series | SQ Rugged |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 6.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 47 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |