SQ4401CEY-T1_GE3,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SO-8, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046385576
- Артикул
- SQ4401CEY-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 50 ns
- Rise Time:
- 52 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Rise Time: | 52 ns |
| Вес, г | 0.054 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SO-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 71 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 7.14 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 17.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 17.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом |