SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 40В, 7,4А, 3,9Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024651463
- Артикул
- SQ4284EY-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.2
- Серия
- SQ
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 354 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Серия | SQ |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11 ns, 11 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 3.9W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.2nF@25V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 45 nC |
| Время нарастания | 40 ns, 40 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.9 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns, 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns, 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.4 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S, 30 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 13.5mΩ@7A, 10V |