SQ4282EY-T1_GE3, MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004729572
- Артикул
- SQ4282EY-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.07
- Серия
- SQ
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 187,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Технические параметры
| Вес, г | 0.07 |
| Серия | SQ |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns, 8 ns |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 47 nC |
| Время нарастания | 11 ns, 11 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.9 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns, 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns, 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 67 S, 67 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |