SQ4153EY-T1_GE3, MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006238717
- Артикул
- SQ4153EY-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.07
- Серия
- SQ
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 199,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -14А, 2,3Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.07 |
| Серия | SQ |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 283 ns |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 151 nC |
| Время нарастания | 168 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 7.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 310 ns |
| Типичное время задержки при включении | 31 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 54 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |