SQ4080EY-T1_GE3, 150V 18A 7.1W 85mOhm@10A,10V 4V@250uA 1 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070071846
- Артикул
- SQ4080EY-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQ
- Fall Time:
- 2.5 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Vishay используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи напряжением 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея напряжением 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQ |
| Fall Time: | 2.5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 3.2 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.25 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 7.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 51 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |