Моя заявка (0)

SQ3985EV-T1_GE3, 20V 3.9A 0.145Ohm@4.5V,3.9A 3W 600mV@250uA 2 P-Channel TSOP-6-1.5mm MOSFETs ROHS

SQ3985EV-T1_GE3, 20V 3.9A 0.145Ohm@4.5V,3.9A 3W 600mV@250uA 2 P-Channel TSOP-6-1.5mm MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070258590
Артикул
SQ3985EV-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.05
Серия
SQ
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 86,59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

Технические параметры

Вес, г0.05
СерияSQ
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада20 ns, 20 ns
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTSOP-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 P-Channel
Qg - заряд затвора4.6 nC
Время нарастания26 ns, 26 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности3 W
Другие названия товара №SQ3985EV-T1_BE3
Id - непрерывный ток утечки3.9 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения40 ns, 40 ns
Типичное время задержки при включении5 ns, 5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.7 S, 7 S

Техническая документация