SQ3493EV-T1_GE3, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004351817
- Артикул
- SQ3493EV-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQ
- Fall Time:
- 51 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQ |
| Fall Time: | 51 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 41 ns |
| Вес, г | 0.35 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOP-6 |
| Part # Aliases: | SQ3493EV |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 5Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22.7 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 54 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.016Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Рассеиваемая Мощность | 5Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.016Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.016 Ом |