Моя заявка (0)

SQ3457EV-T1_GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Surface Mount

SQ3457EV-T1_GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004137173
Артикул
SQ3457EV-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.012
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
5Вт
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 123 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.012
Channel TypeP Channel
Power Dissipation5Вт
СтруктураP-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.035Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока6.8А
Рассеиваемая Мощность5Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTSOP
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.035Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.035 Ом

Техническая документация