Моя заявка (0)

SQ2398ES-T1_GE3, Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

SQ2398ES-T1_GE3, Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002242675
Артикул
SQ2398ES-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
Yes
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
EU RoHS
Compliant
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 100V 1.6A Автомобильный AEC-Q101 с 3-контактным разъемом SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPYes
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
EU RoHSCompliant
FET TypeN-Channel
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Vgs (Max)В±20V
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
FET Feature-
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerVishay Siliconix
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyTrenchFET
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Standard Package NameSOT
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
Typical Fall Time (ns)17
Typical Rise Time (ns)18
Особенностиавтомобильные приложения
Power Dissipation (Max)2W(Tc)
Supplier Device PackageSOT-23-3(TO-236)
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)2.3
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)2.3@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)7
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.5
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds152pF @ 50V
Maximum Continuous Drain Current (A)1.6
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)152@50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)300@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C1.6A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация