SQ2389ES-T1_GE3, 40V 4.1A 94mOhm@10V,10A 3W 2.5V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017600920
- Артикул
- SQ2389ES-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.04
- Application
- automotive industry
Цена по запросу
(от 39,53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60 В, 2,3 А, SOT-23, Полярность транзистора: N-канальный, Постоянный ток стока Id:2,3 А, Напряжение источника стока Vds: 60 В, Сопротивление Rds(включено): 0,125 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs:10 В, Пороговое напряжение Vgs: 2 В, мощность, соответствие RoHS: Да
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.04 |
| Application | automotive industry |
| Gate charge | 12nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SOT-23 |
| Drain current | -4.1A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 169mΩ |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | -40V |
| Pulsed drain current | -16A |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 420pF@20V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.1A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 94mΩ@10V, 10A |