SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,3А, 1Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070164893
- Артикул
- SQ2364EES-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- PPAP
- Unknown
- Width
- 1.4mm
- Series
- TrenchFET
Цена по запросу
(от 76,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| PPAP | Unknown |
| Width | 1.4mm |
| Series | TrenchFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| Gate charge | 2nC |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | Single |
| Drain current | 1.3A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 245mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 60V |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 11 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.46V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 2.5 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2@4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Время нарастания | 11 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26 |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 263@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 240@4.5V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 240 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 460 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8.8 S |