SQ2361ES-T1_GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070073462
- Артикул
- SQ2361ES-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SQ
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Vishay используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи напряжением 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея напряжением 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SQ |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SQ2361ES-T1_BE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | -1.2V |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.8 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -1.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 177 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |