P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2361ES-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023344192
- Артикул
- SQ2361ES-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SQ
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный P-канальный МОП-транзистор Vishay Semiconductor SQ2361ES-T1_GE3 представляет собой 3-контактный, 60 В, 2,8 А автомобильный P-канальный МОП-транзистор для поверxностного монтажа.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SQ |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 25 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SQ2361ES-T1_BE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Структура | P-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | -1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.8 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -1.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 177 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |