Моя заявка (0)
SQ2361CEES-T1_GE3, MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032050103
Артикул
SQ2361CEES-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
4 ns
Rise Time:
9 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 49,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный P-канальный 60-вольтовый МОП-транзистор Vishay / Siliconix SQ2361 Автомобильный P-канальный 60-вольтовый МОП-транзистор SQ2361 соответствует стандарту AEC-Q101 и на 100% протестирован на соответствие стандартам Rg и UIS. Это устройство обеспечивает типичную защиту от электростатического разряда до 800 В и имеет значение RDS (on) всего 0,15 Ом при напряжении 10 В или 0,20 Ом при напряжении 4,5 В. Автомобильный P-канальный MOSFET Vishay / Siliconix SQ2361 мощностью 60 В не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21 и соответствует директиве RoHS 2002/95/EC. Он вxодит в линейку силовыx МОП-транзисторов Vishay / Siliconix TrenchFET®.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:4 ns
Rise Time:9 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:10 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2 W
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:24 ns
Id - Continuous Drain Current:2.8 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)170 mOhms

Техническая документация