SQ2315ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067744742
- Артикул
- SQ2315ES-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SOT23
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- SQ Rugged
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. МОП-транзисторы SQ выпускаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | SQ Rugged |
| Series: | SQ |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.03 |
| Application | automotive industry |
| Gate charge | 13nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -5A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SQ2315ES-T1_BE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 75mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -12V |
| Pulsed drain current | -20A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.45V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 92 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.042Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 450 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.042Ом |