SQ2303ES-T1_GE3, 30V 2.5A 170mOhm@10V,1.8A 1.9W 2.5V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070052076
- Артикул
- SQ2303ES-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.04
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 1.9Вт
- Power Dissipation (Pd)
- 1.9W
Цена по запросу
(от 68,62 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 1.9Вт |
| Power Dissipation (Pd) | 1.9W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.8nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 210pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
| Drain Source On State Resistance | 0.13Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.9Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |