Моя заявка (0)

SQ2303ES-T1_GE3, 30V 2.5A 170mOhm@10V,1.8A 1.9W 2.5V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

SQ2303ES-T1_GE3, 30V 2.5A 170mOhm@10V,1.8A 1.9W 2.5V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017600916
Артикул
SQ2303ES-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Channel Type
P Channel
Корпус
SOT-23
Power Dissipation
1.9Вт
Цена по запросу
(от 144,77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeP Channel
КорпусSOT-23
Power Dissipation1.9Вт
СтруктураP-Channel
Power Dissipation (Pd)1.9W
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Total Gate Charge (Qg@Vgs)6.8nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)210pF@25V
Continuous Drain Current (Id)2.5A
Drain Source On State Resistance0.13Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.5А
Рассеиваемая Мощность1.9Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.13Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)170mΩ@10V, 1.8A

Техническая документация