SQ1922EEH-T1_GE3, 20V 840mA 350mOhm@400mA,4.5V 1.5W 1.5V@250uA 2 N-Channel SOT-363-6 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070135183
- Артикул
- SQ1922EEH-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Grade
- Automotive
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.04
- Серия
- SQ
Цена по запросу
(от 59,56 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.04 |
| Серия | SQ |
| Power - Max | 1.5W |
| Channel Type | N Channel |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Power Dissipation N Channel | 1.5Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.5Вт |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Qg - заряд затвора | 700 pC |
| Время нарастания | 12 ns |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 840mA(Tc) |
| Непрерывный Ток Стока | 840мА |
| Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.2Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.2Ом |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 840 mA |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 840мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 840мА |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |