SQ1912AEEH-T1_GE3, 20V 800mA 280mOhm@1.2A,4.5V 1.5W 1.5V@250uA 2 N-Channel SOT-363-6 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070047839
- Артикул
- SQ1912AEEH-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQ
- Fall Time:
- 390 ns
- Rise Time:
- 108 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQ |
| Fall Time: | 390 ns |
| Rise Time: | 108 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.25 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Power Dissipation N Channel | 1.5Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.5Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 66 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 715 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 800 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 200 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 450 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 800мА |
| Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.2Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.2Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 600мВ |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 800мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 800мА |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |