SQ1563AEH-T1_GE3, 20V 850mA 500mW 1 N-Channel + 1 P-Channel SOT-363-6 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048619672
- Артикул
- SQ1563AEH-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 17 ns, 20 ns
- Rise Time:
- 21 ns, 22 ns
- Вес, г
- 0.04
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 17 ns, 20 ns |
| Rise Time: | 21 ns, 22 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 930 pC, 1 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns, 2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns, 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 850 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.6 S, 1.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms, 500 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 450 mV, 1.5 V |