SQ1539EH-T1_GE3, MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006234051
- Артикул
- SQ1539EH-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 61,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N/P-CH 30V 0,85A Автомобильный 6-контактный SC-70 T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Configuration | Dual |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SC-70 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 32@N Channel|17@P Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 18@N Channel|39@P Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Power Dissipation N Channel | 1.5Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.5Вт |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1@4.5V@N Channel|1.2@4.5V@P Channel |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3@N Channel|4@P Channel |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 8@N Channel|10@P Channel |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.85 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 38@15V@N Channel|40@15V@P Channel |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 280@10V@N Channel|940@10V@P Channel |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Непрерывный Ток Стока | 850мА |
| Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.21Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.21Ом |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 850мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 850мА |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.21Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |