Моя заявка (0)

SQ1440EH-T1_GE3, null 1.7A 120mOhm@3.8A,10V 3.3W null SOT-363-6 MOSFETs ROHS

SQ1440EH-T1_GE3, null 1.7A 120mOhm@3.8A,10V 3.3W null SOT-363-6 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026394376
Артикул
SQ1440EH-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.02
Длина
2.1 mm
Серия
SQ
Высота
1 mm
Цена по запросу
(от 76,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

Технические параметры

Вес, г0.02
Длина2.1 mm
СерияSQ
Высота1 mm
КорпусSOT-363
Ширина1.25 mm
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада30 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокSOT-363-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора5.5 nC
Время нарастания23 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности3.3 W
Id - непрерывный ток утечки1.7 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения10 ns
Типичное время задержки при включении5.8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.7
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)120мОм

Техническая документация