Моя заявка (0)
SQ1431EH-T1_GE3, Transistor: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048620768
Артикул
SQ1431EH-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.1
Серия
SQ
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
3Вт
Цена по запросу
(от 107 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

Технические параметры

Вес, г0.1
СерияSQ
Channel TypeP Channel
Power Dissipation3Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8 ns
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокSOT-363-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора6.5 nC
Время нарастания8 ns
Drain Source On State Resistance0.125Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3А
Рассеиваемая Мощность3Вт
Полярность транзистораP-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Pd - рассеивание мощности3 W
Id - непрерывный ток утечки3 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSC-70
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток125 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения11 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.125Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3 S

Техническая документация