SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1А, 0,5Вт, SC70-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070047828
- Артикул
- SQ1421EDH-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 25 ns
- Вес, г
- 0.1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 5.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 3.3W |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.4nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 44 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 355pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +100 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 230 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |