SPW55N80C3, MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3], Тип N, Uси 850 В
![SPW55N80C3, MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3], Тип N, Uси 850 В](https://static.epl-electro.ru/lib/128/DOC043128627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022609983
- Артикул
- SPW55N80C3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 21 ns
Цена по запросу
(от 977,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 8.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-247-3 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SPW55N8C3XK SP000849356 SPW55N80C3FKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 288 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 200 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 54.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 77 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 850 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |