SPW47N60CFD, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 29А, 417Вт, PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017563052
- Артикул
- SPW47N60CFD
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 30 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS™ В силовыx транзистораx Infineon CoolMOS™ используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ, при этом не жертвуя простотой использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 6.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SPW47N6CFDXK SP000065376 SPW47N60CFDFKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 248 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 417 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 46 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 83 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 417 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |