SPW47N60C3FKSA1, TO247-3/COOLMOS ТРАНЗИСТОР
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070080143
- Артикул
- SPW47N60C3FKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 320 nC
- V(DS)
- 600 V
- Width
- 5.3mm
- P(tot)
- 415 W
Цена по запросу
(от 1 589,17 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание TO247-3/COOLMOS ТРАНЗИСТОР
Технические параметры
| Q(g) | 320 nC |
| V(DS) | 600 V |
| Width | 5.3mm |
| P(tot) | 415 W |
| Series | CoolMOSв(ў |
| Тип | MOSFET |
| Package | TO-247 |
| R(thJC) | 0.3 K/W |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Enclosure | TO-247 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Automotive | NO |
| Power loss | 415 W |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Logic level | NO |
| Part Status | Not For New Designs |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Max. current | 47 A |
| Package Type | TO-247 |
| max. Voltage | 650 V |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 70 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | TO-247-3 |
| I(D)at Tc=25°C | 47 A |
| Мощность | рассеиваемая(max)-415 Вт |
| Описание | N-Channel 650 V 47A(Tc)415W(Tc)Through Hole PG-TO247-3-1 |
| Упаковка | TUBE, 25 шт. |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| Transistor Material | Si |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-3.9 В |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 30A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 415W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.52x10<sup>-7</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 415 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 252 nC @ 10 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 47 A |
| Заряд затвора, нКл | 320 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 47A(Tc) |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 47 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 57*26*32/2400 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 70 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |