SPW32N50C3, MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635666
- Артикул
- SPW32N50C3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- CoolMOS C3
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 988,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N, COOLMOS, TO-247; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:32 А; Напряжение источника стока Vds: 560 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,11 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:3 В; Разряд мощности
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | CoolMOS C3 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 30 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SPW32N5C3XK SP000014625 SPW32N50C3FKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 170 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 284 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 560 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 650 mOhms |