SPW20N60CFDFKSA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8.3 A, 0.19 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8474385016
- Артикул
- SPW20N60CFDFKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS CFD
- Fall Time
- 6.4 ns
Цена по запросу
(от 839 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-ТРАНЗИСТОР N-Ch 650V 20,7A TO24 7-3 CoolMOS CFD
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS CFD |
| Fall Time | 6.4 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 15 ns |
| Tradename | CoolMOS |
| Вес, г | 8.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part # Aliases | SP000014535 SPW20N60CFDFKSA1 |
| Product Category | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Pd - Power Dissipation | 208 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Typical Turn-Off Delay Time | 59 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 20.7 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 220 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом |