SPW20N60C3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 13,1А, 208Вт, PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017530541
- Артикул
- SPW20N60C3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.3mm
- Series
- CoolMOS C3
- Military
- No
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 302 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 5.3mm |
| Series | CoolMOS C3 |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 6.14 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-247 |
| Process Technology | CoolMOS |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Power Dissipation (Pd) | 208W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 208 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 20.7A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 208000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 87 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 87@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 650 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 20.7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2400@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 190@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 190mΩ@10V, 13.1A |