SPP80P06PHXKSA1, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 80A 340Вт 0,023Ом TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024644259
- Артикул
- SPP80P06PHXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.57mm
- Series
- SIPMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2.77
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой SPP80P06PHXKSA1 от производителя INFINEON – это надежный N-MOSFET компонент, ориентированный на монтаж THT. Способный выдержать ток стока до 80А и напряжение сток-исток 60В, он идеален для задач с высокой нагрузкой. С мощностью в 340Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,023 Ом, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность. Корпус PG-TO220-3 гарантирует удобство установки. Используйте SPP80P06PHXKSA1 для повышения производительности ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 80 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 340 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.023 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| Width | 4.57mm |
| Series | SIPMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.77 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | to220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | P-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 340 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 340 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 023Ом |