Infineon Technologies P-channel SIPMOS small signal transistor, -60 V, -18.7 A, TO-220, SPP18P06PH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026565704
- Артикул
- SPP18P06PH
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- SPP18P06
- Version
- P-channel
- Assembly
- THT
Цена по запросу
(от 283 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор, SPP18P06PH, Infineon Technologies Особенности P-канал Режим усиления номинальное значение dv/dt Рабочая температура 175°C Приложения Функции управления питанием Управление двигателем Встроенное зарядное устройство Постоянный ток Пользовательский интерфейс Преобразователи логического уровня Драйверы силовыx МОП-транзисторов Другие приложения для коммутации
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | SPP18P06 |
| Version | P-channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Power loss | 81.1 W |
| Rise Time: | 5.8 nS |
| Tradename: | SIPMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Max. current | -18.7 A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| max. Voltage | -60 V |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | SP000446906 SPP18P6PHXK SPP18P06PHXKSA1 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 81.1 W |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.1x10<sup>-8</sup> C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 nS |
| Id - Continuous Drain Current: | 18.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 130 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 130 mΩ |