SPP17N80C3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 11А, 208Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017527836
- Артикул
- SPP17N80C3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 117 nC
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- V(DS)
- 800 V
Цена по запросу
(от 257 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS™ В силовыx транзистораx Infineon CoolMOS™ используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ без ущерба для простоты использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| Q(g) | 117 nC |
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| V(DS) | 800 V |
| Width | 4.4 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| P(tot) | 227 W |
| Series | CoolMOS C3 |
| Тип | MOSFET |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 0.55 K/W |
| Series: | CoolMOS C3 |
| Mounting | THT |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 15 ns |
| Tradename | CoolMOS |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 2.08 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 290 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | SP000683164 SPP17N80C3XK SPP17N80C3XKSA1 |
| RoHS Compliant | Yes |
| I(D)at Tc=25°C | 17 A |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SP000683164 SPP17N8C3XK SPP17N80C3XKSA1 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 117 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 88 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2.1 В |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Pd - Power Dissipation | 227 W |
| Power Dissipation (Pd) | 208W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 227 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 72 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 17A |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 290 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 250 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 91 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.9V@1mA |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 17 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 57*46*49/500 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 290 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 290mΩ@10V, 11A |