SPP15P10PLHXKSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -100В, -15А, 128Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070078566
- Артикул
- SPP15P10PLHXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO220-3
- Q(g)
- 47 nC
- V(DS)
- 100 V
- Width
- 4.57mm
Цена по запросу
(от 244 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные P-канальные МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® обладают рядом функций, которые могут включать режим усиления, постоянный ток разряда, иногда достигающий -80 А, а также широкий диапазон рабочиx температур.
Технические параметры
| Case | PG-TO220-3 |
| Q(g) | 47 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Width | 4.57mm |
| P(tot) | 128 W |
| Series | SIPMOS® |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 1.17 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | SIPMOS™ |
| Вес, г | 2.03 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | P-CH |
| Drain current | -15A |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 200 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 15 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 128W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.2Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -100V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 128 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 270 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.3 A |