SPP11N60C3XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8564859595
- Артикул
- SPP11N60C3XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 45 nC
- RoHS
- Details
- Type
- Cool MOS Power Transistor
- Brand
- Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 425 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор, 11 А, 600 В, 3-контактный TO-220 Infineon SPP11N60C3HKSA1
Технические параметры
| Q(g) | 45 nC |
| RoHS | Details |
| Type | Cool MOS Power Transistor |
| Brand | Infineon Technologies |
| V(DS) | 600 V |
| Width | 4.4 mm |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| P(tot) | 125 W |
| Series | CoolMOS C3 |
| Package | TO-220 |
| Product | Cool MOS Power |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | THT |
| Fall Time | 5 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 5 ns |
| Tradename | CoolMOS |
| Automotive | NO |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | PG-TO220 |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Width | 10.26mm |
| RDS(on)at 10V | 380 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | SP000681040 SPP11N60C3 SPP11N60C3XK |
| Product Height | 4.4mm |
| Product Length | 8.64mm |
| I(D)at Tc=25°C | 11 A |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 45 nC |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Fall Time | 5ns |
| Typical Rise Time | 5ns |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| разрешение | Power MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Особенности | высоковольтный |
| конфигурация | Single |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 44ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600V |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Forward Transconductance - Min | 8.3 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.38? |
| Maximum Continuous Drain Current | 11A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| монтаж (установка) | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.34 Ом |