N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Through Hole SPP08N80C3XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033645032
- Артикул
- SPP08N80C3XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 4.4 mm
- Height
- 15.65 mm
Цена по запросу
(от 714,32 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 800 В, 8 А, TO-220-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:8 А; Напряжение источника стока Vds:800 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,56 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:3 В; Мощность
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 4.4 mm |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| Series | CoolMOS C3 |
| Fall Time | 10 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 15 ns |
| Tradename | CoolMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | SP000683156 SPP08N80C3 SPP08N80C3XK |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 60 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Pd - Power Dissipation | 104 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 560 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |