Транзистор SPP08N80C3 Infineon
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072244917
- Артикул
- SPP08N80C3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 15 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SPP8N8C3XK SP000683156 SPP08N80C3XKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 650 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |