N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Through Hole SPP06N80C3XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031012883
- Артикул
- SPP06N80C3XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO220-3
- Q(g)
- 35 nC
- V(DS)
- 800 V
- Width
- 4.57mm
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon coolmostm предназначен для коммутации в промышленности с высоким общим напряжением постоянного тока.
Технические параметры
| Case | PG-TO220-3 |
| Q(g) | 35 nC |
| V(DS) | 800 V |
| Width | 4.57mm |
| P(tot) | 83 W |
| Series | CoolMOS C3 |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 1.5 K/W |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS™ |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | CoolMOS C3 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | Through Hole |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | N-CH |
| Drain current | 6A |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 900 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| RoHS Compliant | Yes |
| I(D)at Tc=25°C | 6 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 83W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.9Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 800V |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 8 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Qg - заряд затвора | 41 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 900 mΩ |
| Время нарастания | 15 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Другие названия товара № | SP000683154 SPP06N80C3 SPP6N8C3XK |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 780 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 72 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |