CoolMOS™ C3 N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB SPP04N80C3XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022604314
- Артикул
- SPP04N80C3XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.57mm
- Series
- CoolMOS C3
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 4.57mm |
| Series | CoolMOS C3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 63 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1 Ом |