SPP04N60C3XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 4,5A 50Вт 0,95Ом TO220

Name: SPP04N60C3XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 4,5A 50Вт 0,95Ом TO220
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
SKU: 8008507251

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Цена по запросу

(от 380 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 4,5A 50Вт 0,95Ом TO220

RoHS	Details
Brand	Infineon Technologies
Width	4.4 mm
Height	15.65 mm
Length	10 mm
Series	CoolMOS C3
Fall Time	9.5 ns
Packaging	Tube
Rise Time	2.5 ns
Tradename	CoolMOS
Technology	Si
Вес, г	2.78
Unit Weight	0.211644 oz
Manufacturer	Infineon
Корпус	TO-220FP
Configuration	Single
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Part # Aliases	SP000681024 SPP04N60C3
Transistor Type	1 N-Channel
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	19 nC
Number of Channels	1 Channel
Структура	N-МОП
Transistor Polarity	N-Channel
Factory Pack Quantity	500
Pd - Power Dissipation	50 W
Особенности	-
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Typical Turn-On Delay Time	6 ns
Typical Turn-Off Delay Time	58.5 ns
Id - Continuous Drain Current	4.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Forward Transconductance - Min	4.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance	850 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Пороговое напряжение на затворе	-2…-4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0, 95Ом