SIPMOS® P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK SPD30P06PGBTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016721990
- Артикул
- SPD30P06PGBTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.22mm
- Series
- SIPMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой SPD30P06PGBTMA1 от INFINEON является высококачественным компонентом для электронных схем, где требуется эффективное управление мощными нагрузками. Этот N-MOSFET транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и имеет компактный корпус PG-TO252-3. С током стока 30 А и напряжением сток-исток 60 В, он обеспечивает высокую производительность для широкого спектра применений. Мощность устройства достигает 125 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,075 Ом, минимизирует потери энергии и улучшает эффективность. Используйте SPD30P06PGBTMA1 для надежного управления в вашей электронной аппаратуре. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 30 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 125 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.075 Корпус PG-TO252-3
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | SIPMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |